В ИФТТ РАН разработана технология выращивания кристаллов AIIBVI для различных целей, в частности, для изготовления проходной, фокусирующей и выводящей оптики ИК диапазона; поляризаторов ИК излучения; электрооптических и механических модуляторов; твердотельных элементов полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений; электролюминесцентных источников света; подложек для последующего выращивания монокристаллов и пленок. Технология позволяет: 1. в процессе выращивания вводить в AIIBVI различные легирующие добавки, что дополнительно расширяет область возможного использования кристаллов; 2. частично перерабатывать отходы; 3. упростить синтез сырья и снизить его себестоимость за счет малой чувствительности технологии к наличию избыточных компонентов (AII и/или BVI) в исходной шихте; 4. регулировать основной состав и варьировать свойства кристаллов в широком диапазоне. В основу технологии положен способ вертикальной зонной плавки в атмосфере инертного газа [1-2]. Выращивание проводится в графитовых контейнерах, стенки которых проницаемы для паров компонентов. Кристалл может быть выращен в форме цилиндра или ленты (пластины) с размерами, определяемыми геометрией ростовой установки. Полученные нами цилиндрические слитки имеют диаметр 25-50 мм и длину 40-100 мм, ленты - до 120?12 мм в сечении при длине до 120 мм.
Выращенные кристаллы успешно применялись, в частности, в качестве окон и линз непрерывных СО2-лазеров мощностью до 5 кВт при плотности мощности до 100 кВт/см2 (ZnSe); различных оптических элементов устройств, работающих в видимом и ИК диапазонах (ZnSe, ZnS, CdSe, CdS, CdTe); поляризаторов ИК излучения (CdS); механических и электрооптических модуляторов света ИК диапазона (ZnSe, ZnTe); детекторов a- и g-излучения (Cd1-xZnxTe с x=0,2-0,4); ориентированных монокристаллических подложек (ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe)
Этот текст меня заинтересовал и я начал искать другую инфу в инете. Оказывается можно достаточно правильные и чистые кристаллы выращивать и дома. Получается красиво и полезно  |
)